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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB029N06N3 G E8187
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB029N06N3 G E8187由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB029N06N3 G E8187价格参考。InfineonIPB029N06N3 G E8187封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB029N06N3 G E8187参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB029N06N3 G E8187 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB029N06N3 G E8187 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 118µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 165nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB029N06N3GE8187ATMA1 |
| 功率-最大值 | 188W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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